1999 May 11 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAW156
VR
= 75 V.
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature; per diode.
2handbook, halfpage10
10
3
0
150 200T ( C)
j
o
50
MLB754
100
10
1
10
1
10
2
I
R
(nA)
(1)
(2)
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; per diode; typical values.
f = 1 MHz; Tj
= 25
°C.
handbook, halfpage4
010205
15
VR
(V)
3
2
0
1
MBG525
Cd
(pF)
handbook, full pagewidth
trr
(1)
IF
t
output signal
tr
t
tp
10%
90%
VR
input signal
V = V I x RRF S
R = 50S
Ω
IF
D.U.T.
R = 50i
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
MGA881
Fig.7 Reverse recovery time test circuit and waveforms.
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